我国半导体所等在垂直亚铁磁单层膜中发现新型自旋轨道矩

来源:中科院 | 2022-04-22 10:50:37

自旋轨道矩(Spin-orbit torque)是一种利用自旋轨道耦合产生自旋流并通过角动量转移实现磁材料电调控的有效方法,通常发生在具有反演对称破缺的自旋霍尔金属/磁材料界面等。亚铁磁是具有两套反行排列、相互竞争磁晶格的一类重要磁材料。亚铁磁因其高速自旋动力学、角动量和磁高度可控补偿、易探测等独特优势成为有广泛应用前景的信息功能材料。发展低功耗、高速、高密度非易失亚铁磁自旋存储和计算新技术的关键是实现巨大垂直磁各向异、易集成亚铁磁材料的高效电调控。物理上,亚铁磁为探究反铁磁耦合体系的特有自旋现象提供了灵活、便捷的研究台。

,中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员朱礼军课题组与美国康奈尔大学教授Daniel Ralph、David Muller等合作,在组分均匀、兼容传统CMOS工艺、巨大垂直磁各向异的亚铁磁FeTb薄膜中发现了非传统自旋轨道矩效应,并利用该新型自旋轨道矩在室温下实现了几十纳米厚度FeTb薄膜仅为几个MA/cm2的超低电流密度翻转。研究表明该新型自旋轨道矩为一种体自旋轨道耦合效应,总自旋轨道矩效率随厚度增大而单调增大,并在90纳米厚度时达到了300%;单位厚度自旋轨道矩效应达到0.036 nm-1,是目前文献报道的最高值;物理起源为内部自旋霍尔效应和某种hidden反演对称破缺的相互作用,其强度可通过样品组分调控,其符号随角动量和磁矩的行或反行排列发生改变。上述新发现与以往在均匀铁磁体系的研究结果 (Adv. Funct. Mater. 2020: 30, 2005201;Adv. Funct. Mater.2021:31, 2103898) 为研究非传统自旋轨道矩效应及其在低功耗、高速、高密度自旋存储和计算技术中的应用提供了重要物理原理信息。

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